【今年会官网科技消息】4月30日,三星电子在2026年第一季度财报电话会议上表示,近期通用DRAM的盈利能力已高于高带宽存储器(HBM),但公司将维持两者之间的均衡生产比重。
三星电子
三星电子方面承认:“近期通用DRAM的价格出现上涨,其盈利能力确实比HBM更高。”公司解释称,HBM以年度为单位提前签订供应合同,而通用DRAM则以季度为单位进行价格协商,因此通用DRAM能够更早反映价格上升趋势,导致短期内的收益性出现逆转。
不过,三星电子明确表示,不会因为通用DRAM短期盈利更高而大幅调整生产结构。公司强调,若生产过度向通用DRAM倾斜,反而会加剧HBM的供不应求局面,届时HBM的盈利能力有望重新追赶上来。因此,三星计划在通用DRAM和HBM之间维持均衡的生产比例,兼顾短期业绩与长期战略。
三星电子半导体业务负责人进一步透露,HBM4的差异化性能已经吸引了大量客户需求,公司为HBM4准备的全部产能均已售罄。预计今年下半年,HBM4的供应量将全面扩大,其销售额将在第三季度占到三星整体HBM销售额的一半以上,在今年全年也将占据过半比重。
在技术迭代方面,三星电子已将1c纳米制程的DRAM引入HBM4生产以提升产品性能。同时,下一代高带宽存储器HBM4E(第七代HBM)的首批样品计划于今年第二季度向主要客户供应,相关业务准备工作正在加速推进。
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